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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5201 个

  • -100a-40v pmos,3204场效应管,KPD3204B参数资料-KIA MOS管

    KPD3204B场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低栅极电荷，减少开关损耗，高效率低损耗；100%EAS保证、dV/dt效应显著下降，稳定可靠，绿色设备可用，性能优越；封装形式：TO...

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    www.kiaic.com/article/detail/5798.html         2025-07-18

  • dcdc变换器mos管,80v160a场效应管,KNB2708A参数-KIA MOS管

    KNB2708A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流160A，采用专有新型沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，?超低栅极电荷，减少开关损耗提高效率；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，性能优越，稳定可靠；广泛应用于高效D...

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    www.kiaic.com/article/detail/5801.html         2025-07-18

  • 势垒电容是什么,势垒电容和扩散电容-KIA MOS管

    在半导体器件中，由于空间电荷区（即耗尽层）的存在而形成的电容。当外加电压变化时，耗尽层的宽度和电荷量会变化，导致电容的变化。这种情况下，势垒电容与耗尽层的宽度有关，而耗尽层宽度又取决于外加电压。所以势垒电容应该是一个可变电容，其容值随反向电压...

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    www.kiaic.com/article/detail/5800.html         2025-07-18

  • 二极管正负极判断,二极管的作用原理-KIA MOS管

    普通二极管（如整流二极管）：负极（阴极，K） 一般有一条白色或银色环标记。正极（阳极，A） 没有标记。

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    www.kiaic.com/article/detail/5799.html         2025-07-18

  • crss是什么电容,反向传输电容Crss详解-KIA MOS管

    反向传输电容Crss=Cgd，米勒电容主导开关期间VDS变化阶段（米勒平台），延长开关时间并增加损耗；

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    www.kiaic.com/article/detail/5797.html         2025-07-17

  • pmos的开启电压,pmos管的导通条件-KIA MOS管

    pmos是低电压开启的，其导通条件是栅极电压（Vgs）低于阈值电压（通常为负值），即栅极相对于源极为负电压时导通。pmos管的开通电压为负值，通常在-5V至-10V范围内。

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    www.kiaic.com/article/detail/5796.html         2025-07-17

  • ups逆变器,190a40v,2404场效应管,KNY2404A参数引脚图-KIA MOS管

    KCY2408A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流190A，采用专有新型沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关损耗，高效稳定；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高频性能优异?；广泛应用于高效DCDC转换器、同步...

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    www.kiaic.com/article/detail/5795.html         2025-07-16

  • 变频电源原理,变频器结构原理分享-KIA MOS管

    变频电源是由整个电路构成交流一直流一交流一滤波的变频装置。?变频器通过整流、中间直流环节和逆变等过程，将输入的交流电转换为频率和电压可调的交流电，从而实现对电机转速和转矩的精确控制。

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    www.kiaic.com/article/detail/5794.html         2025-07-16

  • 变频器工作原理,变频器逆变原理-KIA MOS管

    变频器的逆变原理是通过脉宽调制（PWM）技术控制开关器件通断时序，将直流电转换为频率和电压可调的交流电。

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    www.kiaic.com/article/detail/5793.html         2025-07-16

  • 充电器mos,2408MOS管,190a80v,KCY2408A场效应管-KIA MOS管

    KCY2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用SGT-MOSFET技术，专有新型沟槽工艺制造，??极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；快速切换能力，确保应用高效率、低损耗，稳定可靠；广泛应用于交流直流快速充电器、同步整流...

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    www.kiaic.com/article/detail/5792.html         2025-07-15

  • 反激电源拓扑,反激拓扑结构原理-KIA MOS管

    升降压电路由电感周期性的充能和放能过程维持均匀的电压输出，且输出电压与输入电压极性相反。将升降压电路中的电感替换成互相耦合的电感N1和N2（也就是变压器）就是反激拓扑。

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    www.kiaic.com/article/detail/5791.html         2025-07-15

  • ​电源管理详解,电源管理芯片工作原理-KIA MOS管

    电源管理芯片广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子及新能源等领域。电压调节：如LDO（低压差稳压器），用于将输入电压转换为稳定的输出电压。DC-DC：包括升压(Boost)、降压(Buck)和升降压(Boost-Buck)，用于调整电压以适应不同负载的需求。

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    www.kiaic.com/article/detail/5790.html         2025-07-15

  • 47n60场效应管代换,50a600v,60R065参数资料-KIA MOS管

    47n60场效应管参数代换型号KLM60R065B漏源击穿电压600V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 50mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷75nC，减少损耗、提高效率；开关速度快、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、超高坚固性，稳定可靠；广泛应用于高频开关电源...

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    www.kiaic.com/article/detail/5789.html         2025-07-14

  • 电解电容符号,原理,作用详解-KIA MOS管

    电解电容是电容的一种，通常为由金属箔（铝/钽）作为正电极，金属箔的绝缘氧化层（氧化铝/钽五氧化物）作为电介质，阴极由导电材料、电解质（电解质可以是液体或固体）和其他材料共同组成。电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。

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    www.kiaic.com/article/detail/5788.html         2025-07-14

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